[发明专利]包括桥部的声学谐振器结构有效
| 申请号： | 201010215406.3 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101931380A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰·克伊;克里斯·冯;菲尔·尼克尔 | 申请（专利权）人： | 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬;南霆 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供了包括桥部的声学谐振器结构。该声学谐振器包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与所述第二电极之间的压电层。该声学谐振器还包括设置在所述第一电极、所述第二电极和所述压电层下方的反射性元件。所述反射性元件、所述第一电极、所述第二电极和所述压电层的重叠部分构成所述声学谐振器的活性区域。该声学谐振器也包括与所述声学谐振器的所述活性区域的末端相邻的桥部。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 声学 谐振器 结构 | ||
【主权项】：
一种声学谐振器，包括：第一电极；第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的压电层；反射性元件，其设置在所述第一电极、所述第二电极和所述压电层下方，其中，所述反射性元件、所述第一电极、所述第二电极和所述压电层的重叠部分构成所述声学谐振器的活性区域；以及桥部，其与所述声学谐振器的所述活性区域的末端相邻。
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