[发明专利]一种超低电源电压的带隙基准源

摘要

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种超低电源电压的带隙基准源。该带隙基准源由亚阈值管M1和亚阈值管M2，低电压运放，若干分压电阻，电流镜M3、M4、M5和输出电阻R6组成；本发明利用工作在亚阈值区的MOSFET的温度特性以及其两端低电压的特性，配合低电压运放，实现在超低电源电压(＜0.6V)下提供基准电压。该基准的输出电压与输出端的电阻有关，因此是可配置的。随着集成电路的工艺发展，其电源电压也不断降低。本发明非常适合于未来先进工艺的集成电路。

主权项

一种超低电源电压的带隙基准源，其特征在于由亚阈值管M1和亚阈值管M2，低电压运放，分压电阻R1、R2、R3、R4和R5，电流镜M3、M4、M5和输出电阻R6组成；其中：亚阈值管M1和亚阈值管M2是NMOS管，电流镜M3、电流镜M4和电流镜M5为PMOS管；亚阈值管M1和亚阈值管M2的栅和漏端相连，且亚阈值管M1的宽长比大于M2的宽长比；亚阈值管M1的漏端连到电阻R5的一端，电阻R5的另一端c点与电流镜M3的漏端相连，电流镜M3的源端与电源相连；亚阈值管M2的漏端d点与电流镜M4的漏端相连，电流镜M4的源端与电源相连；电流镜M3与电流镜M4的管子尺寸相同；分压电阻R3的一端连接到c点，分压电阻R3的另一端a点与分压电阻R1相连；分压电阻R1的一端a点与分压电阻R3相连，另一端连接到地；分压电阻R3和分压电阻R1相连的点a点连接到低电压运放(1)的正输入端；分压电阻R4的一端连接到d点，分压电阻R4的另一端b点与分压电阻R2相连；分压电阻R2的一端b点与分压电阻R4相连，另一端连接到地；分压电阻R2和分压电阻R4相连的点b点连接到低电压运放(1)的负输入端；选取分压电阻R3与分压电阻R4阻值相等，分压电阻R1与分压电阻R2阻值相等；低电压运放(1)的输出连接电流镜M3、电流镜M4和电流镜M5的栅端。电流镜M5的源端与电源相连，漏端则连接到输出电阻R6。输出电阻R6一端连接电流镜M5的漏端，另一端连接到地。