[发明专利]玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法

摘要

一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；具体步骤如下：在清洗后的基板上涂正性光刻胶，膜厚为1.2um～1.8um；预烘的固化温度为：80～110℃，时间为100～150分钟；曝光参数：80～150mj，母板与基板之间的间隙GAP量：100～200um；把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，显影温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒；固化温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；真空溅射镀SIO2膜层镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；最后清洗。

主权项

一种玻璃基片镀SIO2的掩膜体的方法，其特征在于所使用的光刻材料为：液晶显示器用正性光刻胶，其密度为1.06g/cm3，闪点为：47度，沸点为146度；所使用的脱膜液为由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液；所述的具体工艺及参数步骤如下：A：基板清洗：利用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗玻璃基片，需保证产品表面洁净即可；B：涂胶：采用旋涂或滚涂的涂胶方式在玻璃基板上涂液晶显示器用正性光刻胶，膜厚控制在1.2um～1.8um；C：预烘：将涂胶后玻璃基板预固化，其固化温度控制在：80～110℃，时间为100～150分钟；D：曝光：预固化后玻璃基板送入曝光机，通过平行紫外光照射，使光刻胶产生分子链变化，曝光参数：80～150mj母板与玻璃基板之间的间隙GAP量：100～200um；E：显影：把氢氧化钾KOH配比成0.55％的水溶液，温度设定：22～24℃，时间为：40～120秒，采用喷淋或浸渍方式进行显影；F：固化：将经过上述步骤处理的玻璃基板放入洁净炉内烘烤，温度设定：100～120℃，时间：5～20分钟；G：真空溅射镀SIO2膜层：采用现有真空溅射镀膜工艺镀SIO2膜，镀膜室的镀膜温度控制在110～130℃；H：脱膜：采用在线式滚刷刷洗或人工擦拭方式，由乙醇胺、二甲基亚砜构成的正胶剥离液作为脱膜液进行脱膜；去除基板上光刻胶，温度控制：40-60度，时间：10-20min；K：清洗：采用一般平板清洗机，按照常规清洗工艺清洗上述步骤处理完成的玻璃基片，需保证产品表面洁净即可。