[发明专利]曝光机的曝光程序的验证方法及其使用的掩模无效
申请号: | 201010188402.0 | 申请日: | 2010-05-25 |
公开(公告)号: | CN102262350A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 巫世荣;刘宗鑫 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种曝光机的曝光程序的验证方法及其使用的掩模。提供涂布有光刻胶层的芯片并提供掩模。掩模包括一衬底,衬底具有多级层IC图样与验证图样。多级层IC图样至少包括第一级层IC图样与第二级层IC图样。验证图样包括至少第一母图样与第一子图样,分别设置在第一级层IC图样的第一边缘与第二边缘的外侧。第一边缘与第二边缘相对。第一母图样是与第一子图样不同。第一级层IC图样、第一母图样及第一子图样对应至一曝光单位区。使用掩模进行曝光程序,包括将曝光单位区转移至芯片的第一位置上,并然后将曝光单位区转移至芯片的邻近第一位置的第二位置上。第一位置上的第一子图样与第二位置上的第一母图样的相对位置是与曝光程序的正确与否相关。 | ||
搜索关键词: | 曝光 程序 验证 方法 及其 使用 | ||
【主权项】:
一种掩模,其特征在于,包括:一衬底,具有一多级层集成电路IC图样与一验证图样,该多级层IC图样至少包括一第一级层IC图样与一第二级层IC图样,该验证图样包括:至少一第一母图样与一第一子图样,分别设置在该第一级层IC图样的一第一边缘与一第二边缘的外侧,该第一边缘与该第二边缘相对,该第一母图样与该第一子图样不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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