[发明专利]曝光机的曝光程序的验证方法及其使用的掩模无效

专利信息
申请号: 201010188402.0 申请日: 2010-05-25
公开(公告)号: CN102262350A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 巫世荣;刘宗鑫 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种曝光机的曝光程序的验证方法及其使用的掩模。提供涂布有光刻胶层的芯片并提供掩模。掩模包括一衬底,衬底具有多级层IC图样与验证图样。多级层IC图样至少包括第一级层IC图样与第二级层IC图样。验证图样包括至少第一母图样与第一子图样,分别设置在第一级层IC图样的第一边缘与第二边缘的外侧。第一边缘与第二边缘相对。第一母图样是与第一子图样不同。第一级层IC图样、第一母图样及第一子图样对应至一曝光单位区。使用掩模进行曝光程序,包括将曝光单位区转移至芯片的第一位置上,并然后将曝光单位区转移至芯片的邻近第一位置的第二位置上。第一位置上的第一子图样与第二位置上的第一母图样的相对位置是与曝光程序的正确与否相关。
搜索关键词: 曝光 程序 验证 方法 及其 使用
【主权项】:
一种掩模,其特征在于,包括:一衬底,具有一多级层集成电路IC图样与一验证图样,该多级层IC图样至少包括一第一级层IC图样与一第二级层IC图样,该验证图样包括:至少一第一母图样与一第一子图样,分别设置在该第一级层IC图样的一第一边缘与一第二边缘的外侧,该第一边缘与该第二边缘相对,该第一母图样与该第一子图样不同。
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