[发明专利]一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010184354.8 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN101818330A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 王佐平;马中伟;张镜斌;王伟;孙长涛 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第十二研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;B32B9/04
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 罗笛
地址: 713102 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜,由在基体金属表面依次复合的过渡层、梯度层及C/Ta复合工作层组成,C/Ta复合工作层按照质量百分比其组成为,Ta:10~50%,C:50~90%,各组分的质量百分比之和为100%。本发明类石墨碳膜的制备方法,首先确定非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜的组成;其次对基体金属进行除锈、抛光,超声波除蜡,除油清洗,烘干,将清洗干净的基体金属固定在镀膜工装上;最后对以上清洗干净的基体金属进行溅射镀膜,得到非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜。本发明利用Ta对类石墨的良好改性作用,采用多靶技术将钽元素引入磁控溅射技术,制备了一种具有超润滑能力的C/Ta类石墨碳膜,是一种新型高性能固体润滑复合膜。
搜索关键词: 一种 平衡 磁控溅射 ta 石墨 及其 制备 方法
【主权项】:
一种非平衡磁控溅射C/Ta类石墨碳膜,其特征在于,由在基体金属(1)表面依次复合的过渡层(2)、梯度层(3)及C/Ta复合工作层(4)组成,C/Ta复合工作层(4)按照质量百分比其组成为,Ta:10~50%,C:50~90%,Ta 和C组分的质量百分比之和为100%。
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