[发明专利]阵列式硅微超声换能器及其制造方法无效
| 申请号： | 201010175476.0 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101844130A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 褚家如;张晋弘;马剑强;李保庆;冯艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列式硅微超声换能器及其制造方法，首先在衬底上形成带有下电极导电金属层的压电陶瓷厚膜，然后在衬底的背面形成预定形状和数量的刻蚀图形阵列。最后在压电陶瓷厚膜上方形成与所述刻蚀图形阵列相对应的上电极阵列。本发明形成的器件制备工艺简单且共振频率及有效机电耦合系数高。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 式硅微 超声 换能器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列式硅微超声换能器，其特征在于，所述硅微超声换能器包括：衬底，所述衬底的背面形成有预定形状和数量的刻蚀图形阵列；形成在所述衬底上的压电陶瓷厚膜，所述压电陶瓷厚膜的下方固连有下电极导电金属层；以及形成在所述压电陶瓷厚膜上方并与所述刻蚀图形阵列相对应的上电极阵列。
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