[发明专利]一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法

摘要

本发明公开一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法。其目的是避免甜樱桃花期遭受低温冻害。本发明的技术方案由四部分组成：营养钵大苗培育、低温冷藏、大田假植和更新复壮。春季，将樱桃苗栽植于大营养钵内，放入已挖好的沟内，通过施肥、灌水、整形等措施，在苗圃内培育3-4年，完成营养钵大苗培育阶段；樱桃休眠后，将营养钵挖出，移入低温设施内进行低温冷藏；翌年4月上旬，冬剪后，将营养钵移出低温设施，进行大田假植，通过施肥、灌水等措施，让葡萄正常萌芽、开花、结果；果实采收后，挖出营养钵，刮除土坨外层营养土，用营养土填充土坨与营养钵间的间隙后，将营养钵重新栽植于原处，完成更新复壮。循环生产，完成全过程。

主权项

一种避免甜樱桃花期遭受低温冻害的栽培方法。其特征在于栽培流程由四部分组成：(1)营养钵大苗培育、(2)低温冷藏、(3)大田假植、(4)更新复壮，春季萌芽前，将葡萄苗栽植于大营养钵内，按3m的行距在田地挖栽植沟，将营养钵放入沟内，用土回填营养钵间的缝隙，葡萄萌芽后，进行施肥、灌水、整形、修剪等田间管理，在苗圃内培育3-4年，促其进入初丰产期，完成营养钵大苗培育阶段；樱桃植株在苗圃内生长3-4年后，待樱桃落叶休眠后，将营养钵挖出，移至低温设施内，进行低温冷藏，保持相对湿度在70％以下，温度为-5至7℃之间；翌年4月上旬，完成冬剪，待外界温度稳定后，及时将营养钵移出低温设施，带钵栽植于大田内，通过施肥、灌水、修剪等措施精心管理，让樱桃正常萌芽、开花、结果，这样就完成了大田假植；果实采收后，将营养钵挖出，脱下营养钵，刮除土坨外层5cm厚的营养土，剪除裸露于土坨外的根系，在营养钵(营养钵如有破损需更换)底部重新灌入5cm厚的新配制的营养土后，重新将土坨放入钵内。扶直植株，用新配制的营养土填充土坨与营养钵间的间隙，并在土坨上表面也添加5cm厚的新配制的营养土，完成上述工作后，将营养钵重新栽植于原处，这样就完成了更新复壮，待樱桃落叶休眠后，再将其重新移入低温设施，按(2)-(3)所述方法循环生产，每隔2-3年，应按(4)所述方法更新复壮一次。