[发明专利]一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置无效
申请号: | 201010172063.7 | 申请日: | 2010-05-07 |
公开(公告)号: | CN101833348A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 吕长志;彭振宇;张旺;张健;黄月强;孟宪磊;范宇;刘扬 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 吴荫芳 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,通过设定LDO单元中编程电阻的阻值,可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流,PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定,NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出,从而完成编码。本发明编码方法及装置可根据不同的实际情况设定不同的编程电阻,更好的选择电子镇流器的工作方式,并且设计简单、易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 ldo 电阻 阻值 编码 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基于LDO的电阻阻值编码方法,其特征在于:通过设定LDO单元中编程电阻的阻值,可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流,PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比(W/L)确定;NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定,NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比(W/L)确定;根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出,从而完成编码。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010172063.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。