[发明专利]一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置无效

专利信息
申请号: 201010172063.7 申请日: 2010-05-07
公开(公告)号: CN101833348A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 吕长志;彭振宇;张旺;张健;黄月强;孟宪磊;范宇;刘扬 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 吴荫芳
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置,通过设定LDO单元中编程电阻的阻值,可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流,PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定,NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比确定;根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出,从而完成编码。本发明编码方法及装置可根据不同的实际情况设定不同的编程电阻,更好的选择电子镇流器的工作方式,并且设计简单、易于实现。
搜索关键词: 一种 基于 ldo 电阻 阻值 编码 方法 装置
【主权项】:
一种基于LDO的电阻阻值编码方法,其特征在于:通过设定LDO单元中编程电阻的阻值,可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流,PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输出电流可通过各支路PMOS输出管和PMOS镜像电流源的复制管的宽长比(W/L)确定;NMOS镜像电流源单元的输入电流由其输入端连接的基准电流源确定,NMOS镜像电流源单元的各支路NMOS管的输出电流可通过各支路NMOS输出管和NMOS镜像电流源的复制管的宽长比(W/L)确定;根据各支路PMOS管和NMOS管的输出电流大小的差异确定相应输出负载的输出,从而完成编码。
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