[发明专利]一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的方法及芯片

摘要

本发明所提供的一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的方法，将硅麦克风器件和集成电路的制作交叉进行，先将硅麦克风器件的可动极板和固定极板以及制作于硅片的第一表面，之后再将相应的集成电路制作于硅片上相对于第一表面的第二表面，最后形成硅麦克风器件的声孔、空气隙、背腔结构，这样硅麦克风器件可动极板和固定极板制作过程中的高温工艺不会损害到集成电路，集成电路制作工艺又不会损害硅麦克风器件的机械结构，本发明还提供一种将硅麦克风器件与集成电路单片集成的芯片。

主权项

一种将硅麦克风器件和集成电路单片集成的方法，其特征在于包括步骤：A：提供一硅片，其具有用于制作硅麦克风器件的第一表面，以及用于制作集成电路的第二表面；所述第一表面和第二表面相对；B：在所述第一表面上热生长氧化层；在所述氧化层上形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成牺牲层，在所述牺牲层上形成第二多晶硅层；C：在所述第二表面按照标准半导体工艺流程生成集成电路；D：于所述第二多晶硅层上光刻形成一声孔区域图形以及第一焊盘区域图形；根据所述声孔区域图形和第一焊盘区域图形对第二多晶硅层进行刻蚀，直至露出所述牺牲层，以形成一声孔区域，所述声孔区域包括贯穿第二多晶硅层的声孔；对第一焊盘区域图形限定的牺牲层区域进一步刻蚀，直至露出第一多晶硅层；E：在第一焊盘区域图形限定的第一多晶硅层上形成第一导电电极，在第二多晶硅层上形成第二导电电极；以及在集成电路上形成集成电路导电电极；F：在所述第二表面上，对应于所述声孔区域光刻形成一背腔图形，根据所述背腔图形对所述第二表面和氧化层进行刻蚀，直至露出所述第一多晶硅层，以形成背腔；G：对牺牲层位于所述声孔区域和第一多晶硅层之间的部分进行刻蚀，以形成声孔区域和第一多晶硅之间与所述通孔连通的空气隙；其中步骤F和步骤G的顺序可以互换。