[发明专利]一种非制冷红外焦平面阵列器件的封装工艺及封装装置有效
申请号: | 201010161715.7 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN101893483A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 刘子骥;蒋亚东;李伟;张杰;郑兴 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02;B81C1/00 |
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地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列器件的封装装置,其特征在于,包括本体和封盖,所述本体和封盖配合工作,两者在真空室中经过加热压紧封装为一体,其中:①本体包括第一衬底,在衬底的表面设有P、N特性的重掺杂区,在衬底中间设置有条状金属边框,条状金属边框区域内的上方设置读出电路区域,下方设置焦平面阵列区域,重掺杂区面积大于焦平面阵列区域,焦平面阵列区域有M×N个单元,在条状金属图形和衬底边缘之间设置有若干压焊盘,在焦平面阵列区域设置有若干参比电阻;②封盖包括第二衬底,在第二衬底的两侧都设置有类金刚石膜,在任一侧设置有与本体中的条状金属边框相对应的封盖金属边框,并在封盖金属边框上设置有金属焊料。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外 平面 阵列 器件 封装 工艺 装置 | ||
【主权项】:
一种非制冷红外焦平面阵列器件的封装装置,其特征在于,包括本体和封盖,所述本体和封盖配合工作,两者在真空室中经过加热压紧封装为一体,其中:①本体包括第一衬底,在衬底的表面设有P、N特性的重掺杂区,在衬底中间设置有条状金属边框,条状金属边框区域内的上方设置读出电路区域,下方设置焦平面阵列区域,重掺杂区面积大于焦平面阵列区域,焦平面阵列区域有M×N个单元,在条状金属图形和衬底边缘之间设置有若干压焊盘,在焦平面阵列区域设置有若干参比电阻;②封盖包括第二衬底,在第二衬底的两侧都设置有类金刚石膜,在任一侧设置有与本体中的条状金属边框相对应的封盖金属边框,并在封盖金属边框上设置有金属焊料。
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