[发明专利]一种SiC-B4C复合型热电材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010160756.4 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101817682A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王海龙;李明亮;张锐;关莉;陈德良;范冰冰;许红亮;卢红霞;李菁;袁小帅 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/565;C04B35/624 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 王聚才;黄伟 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于无机复合材料的制备技术领域，特别涉及一种SiC-B4C复合型热电材料的制备方法。采用溶胶-凝胶法制备SiO2前驱体，在前驱体制备过程中加入B4C和蔗糖，前驱体经陈化、干燥、研磨后倒入石墨模具中，利用热压反应烧结制备出SiC-B4C复合材料。本发明能够在较低温度下制备出SiC-B4C复合型热电材料，节约能源，降低制造成本，同时积极推进高温型热电材料的发展，具有很大的社会效益和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic sub 复合型 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC-B4C复合型热电材料的制备方法，其特征在于，采用溶胶-凝胶法制备SiO2前驱体，在前驱体制备过程中加入B4C和蔗糖，产物经陈化、干燥、研磨后倒入石墨模具中，之后热压反应烧结制备得到SiC-B4C复合型热电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州大学，未经郑州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010160756.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种线束结构
- 下一篇：用于手机数据线的接头
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
