[发明专利]等离子体控制方法及等离子体控制装置无效
| 申请号： | 201010157692.2 | 申请日： | 2005-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101835338A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 下泽慎 | 申请（专利权）人： | 富士电机系统株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体控制方法等，用等离子体CVD装置来成膜时，简单得到与随成膜条件变化而变的膜厚均匀性的检测量的膜厚均匀性改善方法；跟踪因批量制作期间不同而产生峰间电压Vpp的绝对值及分布变化的特性变动，得到良好特性均匀性；能提高产品合格率。在具有连接高频供电源(205)的高频电极(210)和与高频电极(210)相对方向并且连接接地电位等的接地电极(211)的真空容器(201)内，在由施加在高频电极(210)上的高频电力控制生成等离子体(206)的分布时，在生成等离子体时，根据使用设置在高频电极(210)或/和接地电极(211)上的峰间电压检测部分检测的电极的峰间电压Vpp，控制等离子体的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体控制方法，其特征在于：是在包括连接于高频供电源上的第一电极、和与第一电极相对并且与接地电位或规定供电源相连接的第二电极的真空容器内，利用施加在第一电极上的高频电力来控制生成的等离子体的分布的等离子体控制方法，其中，具有控制工序，在生成等离子体时，根据使用设置在第一电极或/和第二电极上的多个峰间电压检测部分检测的电极各部位的峰间电压，来控制该等离子体的分布。
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