[发明专利]一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构无效
申请号: | 201010157655.1 | 申请日: | 2010-04-21 |
公开(公告)号: | CN101840126A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 翟耀;陈少武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02F3/00 | 分类号: | G02F3/00;G02F1/365 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构,该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4),其中,第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F-P谐振腔(7);第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F-P谐振腔(8);该第一F-P谐振腔(7)和该第二F-P谐振腔(8)构成级联F-P谐振腔;当光波波长同时等于级联F-P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F-P谐振腔。本发明利用级联F-P谐振腔中的双光子吸收效应,实现了全光逻辑与功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 降低 功耗 级联 谐振腔 逻辑 与门 结构 | ||
【主权项】:
一种可降低功耗的硅基级联谐振腔全光逻辑与门结构,其特征在于,该结构包括第一纳米线波导(5)、第二纳米线波导(6)、第一一维光子晶体光栅(1)、第二一维光子晶体光栅(2)、第三一维光子晶体光栅(3)和第四一维光子晶体光栅(4),其中,第一一维光子晶体光栅(1)、第一纳米线波导(5)和第二一维光子晶体光栅(2)构成第一F-P谐振腔(7);第三一维光子晶体光栅(3)、第二纳米线波导(6)和第四一维光子晶体光栅(4)构成第二F-P谐振腔(8);该第一F-P谐振腔(7)和该第二F-P谐振腔(8)构成级联F-P谐振腔;当光波波长同时等于级联F-P谐振腔中的每个谐振腔的谐振波长时该光波能够通过该级联F-P谐振腔。
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