[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201010154233.9 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101853214A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 荒川忠史 | 申请（专利权）人： | 巴比禄股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种充分地发挥了SLC型闪存和MLC型闪存这两者的优点的存储装置。存储装置包括：二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储2种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单元可以存储3种以上的值；以及控制部，在将第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合第一存储区域和第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写。根据预定的文件系统而在存储区域的开头存储数据的管理信息。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，能够根据预定的文件系统来存储数据，所述存储装置包括：二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储2种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单元可以存储3种以上的值；以及控制部，逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写；所述控制部包括RAID芯片，通过该RAID芯片使所述二值闪存和所述多值闪存进行跨越动作，由此逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域。
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