[发明专利]硅麦克风的制造方法无效
| 申请号： | 201010153522.7 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101959118A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;颜毅林 | 申请（专利权）人： | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅麦克风的制造方法，该方法包括如下步骤：提供一个半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底的第一表面掺杂形成杂质层；在杂质层上淀积牺牲层；在牺牲层上淀积薄膜层；使用刻蚀技术对薄膜层图案化；用氢氟酸稀释溶液释放整个结构，得到硅麦克风。通过本发明的硅麦克风的制造方法得到的硅麦克风灵敏度高、一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅麦克风的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一：提供一个半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；步骤二：在半导体衬底的第一表面掺杂形成杂质层；步骤三：在杂质层上淀积牺牲层；步骤四：在牺牲层上淀积薄膜层；步骤五：使用刻蚀技术对薄膜层图案化；步骤六：用氢氟酸稀释溶液释放整个结构，得到硅麦克风。
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