[发明专利]富碘西瓜的栽培方法有效

专利信息
申请号: 201010139079.8 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101836542A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 韩平;马智宏;潘立刚;栾云霞;王纪华;李云伏 申请(专利权)人: 北京市农林科学院
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01C1/00;A01B79/02;A01G1/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞
地址: 100097*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种富碘西瓜的栽培方法,该方法包括步骤:1)西瓜砧木种苗的培育;2)砧木播种4~7天后,对西瓜种子进行浸种处理;3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中,在温室中进行培育;4)待砧木苗为一叶一心期时,进行西瓜苗的嫁接,嫁接苗在温室中进行培育,育苗期为40天左右;5)在西瓜嫁接苗定植之前,将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中,深翻;使用N、P、K复合肥作为基肥;6)在西瓜嫁接苗定植之后,在西瓜的不同生长时期喷施液体碘肥。采用本方法不仅能够直接栽培出富碘西瓜,同时可以改变土壤以及生物链中碘含量水平,能够有针对性的改变缺碘地区的生态环境,以更好的预防“碘缺乏病”的发生。
搜索关键词: 西瓜 栽培 方法
【主权项】:
一种富碘西瓜的栽培方法,其特征在于,其包括以下步骤:1)将西瓜砧木种子用30~35℃温水浸种24~48小时,用浸湿的纱布包好,在28~32℃环境下保湿催芽;然后,播种于营养钵中,在温室中进行砧木种苗的培育,培养条件为温度20~28℃,湿度60~70%,普通日光光照;2)砧木播种4~7天后,将西瓜种子置于容器中,加入85~95℃水以浸没种子,搅动5~10秒后,加入冷水使浸种温度达到30~35℃,室温下浸种6~8个小时;3)将浸种后的西瓜种子种植于育苗盘中,在温室中进行培育,培养条件为温度25~28℃,湿度40~70%,普通日光光照;4)待砧木苗为一叶一心期时,进行西瓜苗的嫁接,嫁接苗在温室中进行培育,培养条件为温度25~28℃,湿度40~70%,普通日光光照,育苗期为38~42天;5)在西瓜嫁接苗定植之前,将含碘固体肥料与农家肥进行混合并一次性施入种植区土壤中,深翻;使用N、P、K复合肥作为基肥;6)在西瓜嫁接苗定植之后,分别在西瓜开花期、座果期和成熟期喷施碘浓度为25~50mg/L的液体碘肥,每次7~10L/亩。
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