[发明专利]磁控增强离子镀铝工艺及装置无效
| 申请号： | 201010131250.0 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102199753A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 渠洪波 | 申请（专利权）人： | 沈阳科友真空技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110111 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及离子镀铝(IVD)技术领域，公开一种磁控增强离子镀铝工艺及装置，用于解决沉积速率小，镀膜效率低，膜材原子或分子仅部分离化，离化率低的问题。具体方案为：将基片安装固定真空室内上部分，将蒸发源安装固定在基片正对下方，将真空室接地，基片接偏压电源，蒸发源接蒸发电源，真空室充氩气，在基片同蒸发源之间产生的电场E的正交方向设置磁场B；本发明的优点是：增强了离化效果，膜材的原子或分子大量被离化，可以得到很大的离子流，使沉积速率加快，镀膜效率高。同时，被离化的膜材原子或分子有很强的绕射性，可镀制形状复杂的基片。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 离子 镀铝 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控增强离子镀铝工艺，将基片(2)安装固定在真空室(1)内的上部分，将蒸发源(5)安装固定在基片(2)正对下方，将真空室(1)接地，基片(2)接偏压电源(3)，蒸发源(5)接蒸发电源(4)，真空室(1)充氩气，其特征在于：在基片(2)同蒸发源(5)之间产生的电场E的正交方向设置磁场B。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳科友真空技术有限公司，未经沈阳科友真空技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010131250.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
