[发明专利]低温热电转化装置无效
申请号: | 201010122627.6 | 申请日: | 2010-03-08 |
公开(公告)号: | CN101789715A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 彭登文 | 申请(专利权)人: | 彭登文 |
主分类号: | H02N3/00 | 分类号: | H02N3/00 |
代理公司: | 广州三辰专利事务所 44227 | 代理人: | 吴清瑕 |
地址: | 528463 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及低温热电转化装置,属热电转化装置。本发明公开了低温热电转化装置,包括壳体,在壳体内设有至少一个低温热电转化体,在壳体的一侧设有空气入口,在壳体的另一侧设有空气出口,在壳体的空气入口端设有抽风机,所述的低温热电转化体设有铜管,该铜管的两端设有端盖,在铜管内设有铜棒,在铜棒的圆柱面上设有晶体硅层,在晶体硅层与铜管内壁之间设有氯化钠和氢氧化铵混合溶液层,在铜管和铜棒的一端分别设有电流连接导线。本发明的体积小,结构简单,制造成本低,在环境温度为常温下可产生直流电,而且可对环境提供制冷作用,对环境无污染。 | ||
搜索关键词: | 低温 热电 转化 装置 | ||
【主权项】:
低温热电转化装置,包括壳体,其特征在于在壳体内设有至少一个低温热电转化体,在壳体的一侧设有空气入口,在壳体的另一侧设有空气出口,在壳体的空气入口端设有抽风机,所述的低温热电转化体设有铜管,该铜管的两端设有端盖,在铜管内设有铜棒,在铜棒的圆柱面上设有晶体硅层,在晶体硅层与铜管内壁之间设有氯化钠和氢氧化铵混合溶液层,在铜管和铜棒的一端分别设有电流连接导线。
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