[发明专利]小型宽带基片集成波导平面魔T结构

摘要

本发明涉及一种小型宽带基片集成波导平面魔T结构，该小型宽带基片集成波导平面魔T包括介质基板上、中、下三层金属面，介质基板含有两排平行的金属柱，中间层金属面蚀刻出的槽线结构，能很好地实现从微带线到基片集成波导SIW的能量传输，采用的基片集成波导SIW等功分网络，代替了传统的分支结构，使整个平面魔T的结构比以往基片集成波导SIW平面魔T结构体积减小了一半，并且使得魔T工作的相对带宽有了很大的提高，而且该平面魔T的和差臂以及等功分端口之间具有良好的隔离特性。该小型宽带基片集成波导SIW平面魔T设计简单，体积小，电性能好，易于和其他平面微波毫米波电路集成。

主权项

一种小型宽带基片集成波导平面魔T结构，其特征在于：包括上、下层介质基板、上层金属面[1]、中间层金属面[2]、底层金属面[3]、两排平行的金属柱[5]及槽线结构[14]，上层金属面[1]位于上层介质基板的上表面，中间层金属面[2]位于上、下层介质基板的中间位置，底层金属面[3]位于下层介质基板的下表面，两排平行的金属柱[5]之间的距离对应为基片集成波导结构截止频率的二分之一波长，中间层金属面[2]上基片集成波导结构的一侧蚀刻出槽线结构[14]，该槽线结构[14]包括槽线和扇形短路线[4]，槽线在基片集成波导结构外侧的末端与扇形短路线[4]相连接；上层介质基板上的50欧姆微带线[9]与槽线结构[14]上下垂直相交，50欧姆微带线[9]与槽线结构[14]垂直交叉相耦合。