[发明专利]一种太阳能级硅电解制取法和装置无效
| 申请号： | 201010100731.5 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101760754A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李绍光 | 申请（专利权）人： | 李绍光 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C01B33/107 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110013 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种太阳能级硅电解制取法，其特征在于它包括如下步骤：(一)用高纯氯气和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤；(二)用分级冷凝分离、纯化气态四氯化硅制取液态四氯化硅的步骤；(三)将冷凝纯化后的液态四氯化硅注入低温电解槽内电解制取高纯硅的步骤；(四)将电解槽阳极所析出的氯气循环利用于和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤。本发明还提出了一种实施上述方法的装置，采用本发明的方法制取太阳能级硅，投资少、能耗小、成本低，对环境无污染，可取得极大的经济价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 电解 制取 装置 | ||
【主权项】：
一种太阳能级硅电解制取法，其特征在于它包括如下步骤：(一)用高纯氯气和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤；(二)用分级冷凝分离、纯化气态四氯化硅制取液态四氯化硅的步骤；(三)将冷凝纯化后的液态四氯化硅注入低温电解槽内电解制取高纯硅的步骤；(四)将电解槽阳极所析出的氯气循环利用于和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤。
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