[发明专利]真空涂层设备和用于操作真空涂层设备的方法

摘要

本发明涉及一种真空涂层设备(01)，其具有至少一个可抽真空的工艺过程腔(02)、至少一个入口孔(10)和至少一个出口孔(11)，其中在工艺过程腔(02)内通过时被涂层的晶片元件(03)能够通过入口孔(10)输送到工艺过程腔内，并且通过出口孔(11)从工艺过程腔中输送出，并且其中在入口孔(10)和出口孔(11)处分别设有闸阀(08、09)，所述闸阀能够在打开位置和压力密封的关闭位置之间沿着闸阀关闭路径调节，并且其中为了运送晶片元件(03)，设有具有至少三个运送装置(04、05、06、17)的运送系统，其中第一运送装置(04、17)设置在入口孔(10)的上游，其中第二运送装置(05、17)设置在工艺过程腔(02)内，并且其中第三运送装置(06、17)设置在出口孔(11)的下游，并且其中运送装置(04、05、06、17)分别具有至少一个环绕的运送机构(14、18)，晶片元件(03)从上面放置在所述运送机构上，并且能够通过运送机构(14、18)在运送装置(07)内的环绕的驱动输送穿过真空涂层设备(01)，其中运送系统在入口孔(10)和/或出口孔(11)处具有可调节的转运装置(12、13、16)，所述转运装置能够在转换位置和空转位置之间调节，其中在转运装置(12、13、16)的转换位置上，晶片元件(03)能够穿过打开的入口孔或穿过打开的出口孔从一个运送装置(04、05、06、17)转移到沿输送方向(7)位于下游的下一个运送装置，并且其中在转运装置(12、13、16)的空转位置上，入口孔(10)和/或出口孔(11)能够通过沿着闸阀关闭路径调节相关联的闸阀(08、09)而打开或关闭。

主权项

一种真空涂层设备(01)，具有至少一个可抽真空的工艺过程腔(02)以及至少一个入口孔(10)和至少一个出口孔(11)，其中在所述工艺过程腔(02)内通过时被涂层的晶片元件(03)能够通过所述入口孔(10)输送到所述工艺过程腔内，并且通过所述出口孔(11)从所述工艺过程腔中输送出，并且其中在所述入口孔(10)和所述出口孔(11)处分别设有闸阀(08、09)，所述闸阀能够在打开位置和压力密封的关闭位置之间沿着闸阀关闭路径调节，并且其中为了运送所述晶片元件(03)，设有具有至少三个运送装置(04、05、06、17)的运送系统，其中第一运送装置(04、17)设置在所述入口孔(10)的上游，其中第二运送装置(05、17)设置在所述工艺过程腔(02)内，并且其中第三运送装置(06、17)设置在所述出口孔(11)的下游，并且其中所述运送装置(04、05、06、17)分别具有至少一个环绕的运送机构(14、18)，所述晶片元件(03)从上面放置在所述运送机构上，并且能够通过所述运送机构(14、18)在运送装置(07)内的环绕的驱动输送穿过晶片真空涂层设备(01)，其特征在于，所述运送系统在所述入口孔(10)和/或所述出口孔(11)处具有可调节的转运装置(12、13、16)，所述转运装置能够在转换位置和空转位置之间调节，其中在所述转运装置(12、13、16)的所述转换位置上，所述晶片元件(03)能够穿过打开的所述入口孔或穿过打开的所述出口孔从一个运送装置(04、05、06、17)转移到沿输送方向(7)位于下游的下一个运送装置，并且其中在所述转运装置(12、13、16)的所述空转位置上，所述入口孔(10)和/或所述出口孔(11)能够通过沿着所述闸阀关闭路径调节相关联的所述闸阀(08、09)而打开或关闭。