[发明专利]在聚合物层表面上开槽的方法和设备

摘要

一种利用激光直写气化工艺在聚合物层基底(36，46，51，65，73，83)的表面上开槽(74，85)的方法，聚合物被如此选择或通过添加有机或无机的材料被改性，从而使聚合物能强烈吸收525纳米至535纳米范围内的波长，该方法包括：提供波长在525纳米至535纳米范围内的激光束(32，42)，激光束具有衍射受限或基本衍射受限的光束质量并以连续、准连续或Q开关方式工作；使用光学系统(35，45，64，72，82)将激光束聚焦到基底表面上的焦点；使用扫描装置(44，63)相对基底上的一个区域移动焦点，从而基底表面的受到光束照射的地方被气化而形成深度小于聚合物层厚度的槽；控制扫描装置以改变焦点在基底上的位置，沿其长度具有笔直部分和弯曲部分的槽由此被写在基底表面上；调整到达基底表面的激光束的功率，从而写操作被启动和停止，由此形成具有期望长度的槽。

主权项

一种利用激光直写气化工艺在聚合物层基底的表面上开槽的设备，该聚合物已被如此选择或通过添加有机材料或无机材料被改性，从而该聚合物能强烈吸收525纳米至535纳米范围内的波长，该设备包括：a.激光器，它发出具有在525纳米至535纳米范围内的波长的光束，该光束具有衍射受限或衍射基本受限的光束质量并以连续方式或准连续方式工作，b.用于将该激光束聚焦至该基底表面上的焦点的光学系统，c.扫描装置，用于相对该基底上的一个区域移动该焦点，从而该基底表面的受到光束照射的地方被气化以形成槽，该槽的深度小于聚合物层的厚度，d.用于扫描装置的第一控制系统，用于改变在该基底上的焦点的位置，从而沿其长度具有笔直部分和弯曲部分的所述槽可以被写在该基底表面上，e.第二控制系统，用于控制到达基底表面的激光束的功率，从而使写操作可以被启动和停止以便形成具有期望长度的槽，第一控制系统和第二控制系统布置成形成具有小于聚合物层厚度的期望深度的槽。