[发明专利]电磁干涉图案的应用有效
申请号: | 200980142382.9 | 申请日: | 2009-08-25 |
公开(公告)号: | CN102216736A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 乔纳森.M.R.韦弗;菲利普.S.多布森;戴维.P.伯特;斯蒂芬.汤姆斯;凯文.E.多彻蒂;张瑗 | 申请(专利权)人: | 格拉斯哥大学理事会 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26;G01D11/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛飞 |
地址: | 英国格*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 提供可见光干涉图案的各种使用。适当的干涉图案是通过来自孔的图案的衍射形成的那些。在此公开的典型使用涉及空间度量,例如平动的和/或角位置确定系统。进一步的使用包括分析光自身的属性(例如电磁辐射的波长的确定)。更进一步的使用包括分析光通过其中的物质的一个或多个属性(例如折射指数)。干涉图案的一部分在像素话的检测器例如CCD芯片上被俘获,并且俘获的图案与计算的图案相比较。最强处之间的间隔的非常精确的测量是可能的,从而允许在干涉图案中检测器的位置的非常精确的测量。 | ||
搜索关键词: | 电磁 干涉 图案 应用 | ||
【主权项】:
一种测量系统,具有:用于产生包括强度最大处和强度最弱处的干涉图案的电磁辐射干涉图案发生器;电磁辐射检测器,其能够操作以检测通过所述发生器产生的至少一部分干涉图案,所述检测器具有安置成大致同时检测所述干涉图案中的多个所述强度最大处和/或强度最弱处的检测元件阵列,其中所述系统能够基于检测出的强度最强处和/或强度最弱处确定所述系统的物理属性或者所述系统的物理属性的变化。
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