[发明专利]经由背栅电荷转移将数字集成电路从待命模式转变到活动模式有效
| 申请号： | 200980134834.9 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102150367A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 金大益;金钟海;金文柱;赵忠衍 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于促进数字电路(500)从背栅偏置待命模式到活动模式的转变的电路及方法。该数字电路(500)包括半导体衬底、至少部分地布置在该半导体衬底中的一个或多个p型井中的多个n沟道晶体管、至少部分地布置在该半导体衬底中的一个或多个n型井中的多个p沟道晶体管、及背栅控制电路(520)。该背栅控制电路(520)电耦接至p型井及n型井，以通过将电荷从n型井自动分流(510)至p型井直至达到指示所述晶体管从背栅偏置待命模式到活动模式的完全转变的井电压阈值为止，来促进所述多个n沟道晶体管及所述多个p沟道晶体管从背栅偏置待命模式到活动模式的转变。 | ||
| 搜索关键词： | 经由 电荷 转移 数字集成电路 待命 模式 转变 活动 | ||
【主权项】：
一种数字电路，其包括：半导体衬底；至少一个n沟道晶体管，其具有至少部分地布置在所述半导体衬底中的至少一个p型井中的栅极、漏极及源极；至少一个p沟道晶体管，其具有至少部分地布置在所述半导体衬底中的至少一个n型井中的栅极、漏极及源极；以及背栅控制电路，其电耦接至所述至少一个p型井及所述至少一个n型井，以通过将电荷从所述至少一个n型井分流至所述至少一个p型井而促进将所述至少一个n沟道晶体管及所述至少一个p沟道晶体管从待命模式转变到活动模式。
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