[发明专利]基于碳的电阻率-切换材料及其形成方法无效
| 申请号： | 200980134334.5 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102144309A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 许汇文;陈溪滢;罗伊·E·朔伊尔莱茵;平尔萱;坦梅·库马;阿尔珀·伊尔克巴哈 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了包括基于碳的电阻率-可切换材料的存储器器件及形成这种存储器器件的方法，所述方法包括：将处理气体引入处理室中，其中，该处理气体包括烃化合物和运载气体；以及在处理室中产生处理气体的等离子体以在基底上沉积基于碳的电阻率切换材料的层。提供了一些另外的方面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电阻率 切换 材料 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：将处理气体引入处理室中，其中所述处理气体包括烃化合物和运载气体；以及在处理室中产生处理气体的等离子体以在基底上沉积基于碳的电阻率切换材料的层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D有限责任公司，未经桑迪士克3D有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980134334.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
