[发明专利]压电陶瓷、其制造方法和压电器件有效
| 申请号： | 200980133416.8 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102131746A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 波多野桂一;岸本纯明;土信田丰 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;H01L41/083;H01L41/187;H01L41/22;H01L41/24;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不含铅的压电陶瓷，其具有高的压电特性，具备含有碱金属的铌酸系钙钛矿结构，不需要对高压下的烧制、特殊氛围下的烧制、精细的烧制的条件进行控制，能够得到致密且内部的多晶结构微细且均匀的压电陶瓷，另外，提供一种该压电陶瓷的制造方法以及使用该压电陶瓷的压电器件。压电陶瓷的特征在于，含有[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、w表示摩尔比，分别为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤z＜1、0≤w＜1)作为主相，含有K3Nb3O6Si2O7作为副相。另外，压电陶瓷的制造方法的特征在于，包括：得到上述作为主相的组合物(或者它们的材料)的步骤；得到上述作为副相的组合物的步骤；将两者混合的步骤；和将两者的混合物成型、烧制的步骤。并且，第一电极和第二电极隔着压电陶瓷层相对的压电器件的特征在于，上述压电陶瓷层由上述压电陶瓷形成。 | ||
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【主权项】：
一种压电陶瓷，其特征在于：含有[K1‑xNax]1‑yLiy[Nb1‑z‑wTazSbw]O3作为主相，含有K3Nb3O6Si2O7作为副相，其中，x、y、z、w表示摩尔比，分别为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤z＜1、0≤w＜1。
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