[发明专利]用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用有效
| 申请号： | 200980131624.4 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102119363A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 阿明·萨利姆·穆罕默德;大卫·布鲁德;乔纳斯·贝尔格;穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔;文森特·代马雷 | 申请（专利权）人： | 斯莫特克有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及模板和制作高深宽比模板、印章的方法；和使用以光刻为目的的纳米结构以进行纳米级压印；和使用所述模板在材料和产品上创建穿孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 高深 模板 制作 相同 方法 以及 这种 纳米 级基板射孔 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种模板，其特征在于，包括：底层基板；和沉积在所述底层基板上的催化层，其中从确定光刻形貌的所述催化层生长至少一个纳米结构，所述纳米结构的深宽比受纳米结构的生长所控制，所述至少一个纳米结构具有的强度足以维持所述纳米结构在垂直压力下的所述光刻形貌。
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