[发明专利]强流直流质子加速器有效

专利信息
申请号: 200980131131.0 申请日: 2009-08-11
公开(公告)号: CN102119584A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 马歇尔·R·克莱兰德;理查德·A·加洛韦;伦纳德·德桑图;伊维斯·钟恩 申请(专利权)人: 离子束应用股份有限公司
主分类号: H05H5/00 分类号: H05H5/00;H05H5/02;H05H15/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;王艳春
地址: 比利时卢万*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要: 提供了一种能够在高能下使强流质子束加速的直流加速器系统。加速器系统包括直流高压、大电流电源,抽空的离子加速管,质子离子源,偶极分析磁铁以及位于高压终端的真空泵。可基于多种应用,例如硼中子俘获疗法(BNCT)应用、NRA应用、以及硅石分裂,将强流、高能直流质子束引向多个靶。
搜索关键词: 直流 质子 加速器
【主权项】:
一种能够在高能(0.3MeV或更大)下使强流(5mA或更大)质子束加速的加速器系统,包括:直流加速结构,具有加速列,所述加速列包括通过绝缘环彼此分离的多个导电电极,所述加速列被配置成提供加速电场以使所述质子束加速;高压(0.3MeV或更大)、大电流(5mA或更大)电源,为所述加速结构提供加速电压;质子离子源,具有束提取孔,所述质子离子源提供5mA或更大的质子束,并且通过所述束提取孔释放少于3SCCM的中性氢气;偶极分析磁铁,位于所述离子源与所述加速列之间,所述分析磁铁的场构造阻止除了由所述离子源产生的质子之外的离子到达所述加速结构。
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