[发明专利]通过施加时变磁场在硅熔体中产生抽吸力无效
| 申请号： | 200980129655.6 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102112665A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | H·斯里达哈拉默西;M·S·库尔卡尼;H·W·科布 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了在晶体生长系统中控制晶体生长。该晶体生长系统包括含有半导体熔体的被加热的坩埚，根据切克劳斯基方法从所述半导体熔体生长单晶锭，并且该锭在从所述熔体拉拔的籽晶上生长。该方法包括通过向上线圈供应第一直流电流(IUDC)和向下线圈供应第二直流电流(ILDC)而将会切磁场施加到所述熔体。该方法还包括向上线圈供应第一交流电流(IUAC)和向下线圈供应第二交流电流(ILAC)以产生时变磁场，其中所述时变磁场在所述半导体熔体中产生抽吸力。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 施加 磁场 硅熔体中 产生 抽吸 | ||
【主权项】：
一种用于施加时变磁场以抵消在半导体熔体中存在的浮力基元的方法，根据切克劳斯基方法从所述半导体熔体生长单晶锭，所述锭在从所述半导体熔体拉拔的籽晶上生长，所述方法包括：确定用于抵消所述浮力基元的抽吸力的方向和量值；限定所述时变磁场的特性，所述时变磁场将在所述半导体熔体中产生所述抽吸力以抵消所述浮力基元；向上线圈供应第一交流电流(IUAC)并向下线圈供应第二交流电流(ILAC)以产生限定的所述时变磁场，其中所述时变磁场在所述半导体熔体中产生所述抽吸力；以及施加所产生的所述时变磁场以抵消所述半导体熔体中的所述浮力基元，从而产生相对于所述锭凹陷的熔体‑固体界面形状，其中所述锭具有至少两百毫米的直径。
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