[发明专利]偶联剂反应的汞和/或砷离子去除介质无效
申请号: | 200980126655.0 | 申请日: | 2009-04-14 |
公开(公告)号: | CN102089260A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | Z·王;R·亚伯拉罕 | 申请(专利权)人: | 安姆科尔国际公司 |
主分类号: | C04B41/49 | 分类号: | C04B41/49;C02F1/28;B01D53/02;B01D53/64 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 使用含有巯基端基、二硫化物端基和/或多硫化物端基的偶联剂提供了一种具有提高的反应性、稳定性和汞去除能力的汞去除介质。本文所描述的汞去除介质是通过将含有离子的亲有机物质粘土与巯基端基、二硫化物端基、四硫化物端基、和/或多硫化物端基反应来制备的。供选择地,可以在与含有巯基端基或硫化物端基的偶联剂进行偶联反应之前或同时,通过鎓离子反应来将粘土制造成亲有机物质的。 | ||
搜索关键词: | 偶联剂 反应 离子 去除 介质 | ||
【主权项】:
一种通过接触从水中去除汞和/或砷或者从气体中去除汞的污染物去除介质,该污染物去除介质包含:偶联剂反应的层状页硅酸盐的均质混合物,其中所述偶联剂包含巯基基团或硫化物基团。
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