[发明专利]通过OPC模型空间中的局部化监视结构进行集成电路制造的实时监视的方法有效
| 申请号： | 200980117415.4 | 申请日： | 2009-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN102027418A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | A·迪贾科莫;R·萨巴蒂耶尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制集成电路的制造的方法，包括步骤：在将在晶片上形成的结构的临界区域中确定作为通过掩模(MSK)施加于半导体晶片(W)的辐射强度的曲线的表征的参数，针对每个临界区域，将测量点放置在多维空间中，所述多维空间的每个尺寸对应于所述表征参数中的一个，将控制点放置在所述多维空间中，其散布在由最末端测量点划定界限的区域中，从而划定围绕该区域的包络(CE)的界限，针对每个控制点，定义每个相对应控制点的控制结构，产生包含该控制结构的掩模，对半导体晶片应用涉及所产生的掩模的工艺，并分析被转移到晶片的控制结构以检测其中的任何缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 opc 模型 空间 中的 局部 监视 结构 进行 集成电路 制造 实时 方法 | ||
【主权项】：
一种控制集成电路的制造的方法，包括步骤：确定作为要在晶片上形成的结构的临界区域(SS)中辐射强度曲线的表征的参数，该辐射强度通过掩模(MSK)施加于半导体晶片(W)，以及对每个临界区域，根据作为临界区域中强度曲线的表征的每个参数的值，将测量点(P)放置在多维空间中，所述多维空间的每个维度对应于所述表征参数(IX、IN、SL、CRV)中的一个，其特征在于其包括步骤：将控制点(CP1‑CP10)放置在所述多维空间中，所述控制点围绕由最末端测量点界定的区域散布，从而界定包围该区域的包络(CE)，对每个控制点，定义控制结构(CS1‑CS10)，使得控制结构上的辐射强度曲线具有对应于所述控制点的表征参数的值，对半导体晶片(W)应用涉及包含控制结构的掩模(MSK)的工艺，以将所述控制结构转移到所述晶片上。
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