[发明专利]无毒光电池和包括其的光电传感器无效
| 申请号： | 200980114099.5 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102007819A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | R·C·弗拉赫蒂 | 申请（专利权）人： | 泰科电子有限公司 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光控制装置包括具有光透射部分的外壳。光电传感器放置在该外壳中以接收通过该外壳的光透射部分的光。电耦合于该光电传感器的继电器响应于由该光电传感器检测的光的水平。该光电传感器包括光敏硅光电池和电子电路。该电子电路耦合于该硅光电池和该继电器并且包括场效应晶体管(FET)，其中包括该FET的源极和漏极之间的齐纳二极管。该硅光电池可以是光电二极管和/或光电晶体管。该继电器可是包括加热器电阻的热开关。 | ||
| 搜索关键词： | 无毒 光电池 包括 光电 传感器 | ||
【主权项】：
一种光控制装置，其包括：包括光透射部分的外壳；放置在所述外壳中的光电传感器以接收通过所述外壳的光透射部分的光；以及电耦合于所述光电传感器的继电器，其响应于由所述光电传感器检测的光的水平，其中所述光电传感器包括：光敏硅光电池；以及耦合于所述硅光电池和所述继电器的电子电路，其包括场效应晶体管(FET)，其中包括在所述FET的源极和漏极之间的齐纳二极管。
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