[发明专利]用来通过多次暗视场曝光对硬掩模进行图案化的在线法有效
| 申请号： | 200980108881.6 | 申请日： | 2009-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101971102A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | S·X·孙;徐昊;T·D·弗莱 | 申请（专利权）人： | 布鲁尔科技公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用多次曝光-显影工艺在可溶于显影剂的硬掩模层上形成通孔或凹槽结构的方法。在对成像层进行显影的同时对硬掩模层图案化。在使用有机溶剂剥除成像层之后，可以使用随后的曝光-显影工艺对同一硬掩模进行进一步的图案化。最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到基片上。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 通过 多次 视场 曝光 硬掩模 进行 图案 在线 | ||
【主权项】：
一种形成微电子结构的方法，该方法包括：(a)提供具有表面的基片；(b)施加与所述基片表面相邻的硬掩模组合物，所述硬掩模组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的聚合物；(c)对所述硬掩模组合物进行烘焙，以制得硬掩模层；(d)施加光敏性组合物，在所述硬掩模层顶上形成第一成像层；(e)使得所述第一成像层对活性辐射曝光，在所述第一成像层中形成曝光部分；(f)使所述第一成像层与显影剂接触，除去所述第一成像层的所述曝光部分，所述接触还造成位于所述第一成像层中所述曝光部分之下的所述硬掩模层的部分被除去，形成图案化的硬掩模层；(g)使所述第一成像层与有机溶剂接触，以除去所述第一成像层；以及(h)施加第二光敏性组合物，在所述图案化的硬掩模层顶上形成第二成像层，并且不对所述基片施加另外的硬掩模组合物。
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