[发明专利]通过改进电子态密度的热电优值提高无效
| 申请号： | 200980107912.6 | 申请日： | 2009-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN101965312A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | J·哈里曼斯;V·杰弗维奇 | 申请（专利权）人： | 俄亥俄州立大学研究基金会 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供热电材料及制造热电材料的方法。热电材料包括至少一种IV族元素和至少一种VI族元素的掺杂化合物。化合物掺杂有选自下述的至少一种掺杂剂：至少一种IIa族元素、至少一种IIb族元素、至少一种IIIa族元素、至少一种IIIb族元素、至少一种镧系元素、和铬。至少一种IV族元素位于第一亚晶格位置上，而至少一种VI族元素位于第二亚晶格位置上，并且至少一种IV族元素占第一亚晶格位置的至少95％。化合物在高于500K的温度下具有大于0.7的峰值热电优值ZT值。还要求保护包含此类材料的热电装置及其用途。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 改进 电子 密度 热电 提高 | ||
【主权项】：
热电材料，其包含至少一种IV族元素和至少一种VI族元素的掺杂化合物，其中所述化合物掺杂有选自下述的至少一种掺杂剂：至少一种IIa族元素、至少一种IIb族元素、至少一种IIIa族元素、至少一种IIIb族元素、至少一种镧系元素、和铬，其中所述至少一种IV族元素位于第一亚晶格位置上，而所述至少一种VI族元素位于第二亚晶格位置上，其中所述至少一种IV族元素占所述第一亚晶格位置的至少95％，其中所述化合物在高于500K的温度下具有大于0.7的峰值热电优值ZT值。
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