[发明专利]磁性硬硅光电倍增管有效
申请号: | 200980102166.1 | 申请日: | 2009-01-07 |
公开(公告)号: | CN101910868A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | V·舒尔茨 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01T1/16 | 分类号: | G01T1/16;G01T1/29 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种辐射探测器,包括:衬底(54);固态探测器元件(50)的二维阵列,其设置在衬底上或设置在衬底中并且定义探测器阵列区域(52);电极(Ec、Ea),其设置在衬底上或设置在衬底中;以及导电连接线(60、64),其设置在衬底上或设置在衬底中,并且可操作地电连接固态探测器元件和电极,导电连接线布置为与任何一个导电固态探测器元件共同定义小于或大约探测器阵列区域的十分之一的最大区域。一种成像系统,包括:MR扫描器(10);以及PET或SPECT成像系统,其布置为具有与MR扫描器所生成的磁场的某些相互作用,PET或SPECT成像系统包括闪烁体元件(40)和布置为探测闪烁体元件中所生成的闪烁的前述的辐射探测器。 | ||
搜索关键词: | 磁性 光电倍增管 | ||
【主权项】:
一种辐射探测器,包括:衬底(54);固态探测器元件(50)的二维阵列,其设置在所述衬底上或设置在所述衬底中并且定义探测器阵列区域(52);阳极和阴极电极(Ea、Ec),其设置在所述衬底上或设置在所述衬底中;以及导电连接线(60、64),其设置在所述衬底上或设置在所述衬底中,并且可操作地使所述固态探测器元件在所述阳极和阴极电极之间并联地电连接。
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