[实用新型]单晶用环形永磁场有效
| 申请号： | 200920288474.5 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN201593075U | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张承臣;李恒盛;吴文奎;唐奇;邵贵成 | 申请（专利权）人： | 抚顺隆基电磁科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04 |
| 代理公司： | 抚顺宏达专利代理有限责任公司 21102 | 代理人： | 许翔 |
| 地址： | 113122 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶用环形永磁场，包括有环形结构的永磁系，永磁系的内外侧及上下端分别安装有内筒、导磁筒及上、下磁轭。使用时，将本实用新型包围在单晶炉外侧，使单晶炉内产生沿晶升方向的垂直环形磁场，磁力线从炉体中穿过，在结晶区域内无磁场或磁场很弱，结晶区外围有强磁场。该种叠加环形磁场的存在，能够有效地抑制硅液对流的产生，降低硅液的机械波动及温度起伏，增大流体的黏度，使硅液及导电介质处于相对静止状态，导电介质分布比较均匀，提高了单晶硅径向电阻率的均匀性，进而提高材料利用率，提高了硅片性能指标。同时，还能有效地降低单晶硅中氧、碳的及其它杂质的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶用 环形 永磁 | ||
【主权项】：
一种单晶用环形永磁场，其特征是：包括有环形结构的永磁系(1)，永磁系(1)的内外侧及上下端分别安装有内筒(6)、导磁筒(4)及上、下磁轭(3)、(5)。
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