[实用新型]用于确定光刻过程的过程模型的装置有效
| 申请号： | 200920219220.8 | 申请日： | 2009-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN201845335U | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | J·黄;L·S·梅尔文三世 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;陈宇萱 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于确定光刻过程的过程模型的装置。光刻过程使用第一布局以对晶片进行第一曝光和显影过程，并且之后使用第二布局以对晶片进行第二曝光和显影过程。当对晶片进行第二曝光和显影过程时，晶片的表面包括至少部分地由于第一曝光和显影过程而产生的外形变化。该装置包括：接收装置，用于接收过程数据，其中过程数据包括在对所述晶片进行所述第二曝光和显影过程之后对图案的关键尺寸测量；第一确定装置，用于确定未校准的过程模型，其中未校准的过程模型包括对外形变化对于第二曝光和显影过程的影响进行建模的外形项；以及第二确定装置，通过将所述未校准的过程模型与所述过程数据进行校准来确定所述过程模型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 光刻 过程 模型 装置 | ||
【主权项】：
一种用于确定光刻过程的过程模型的装置，所述装置的特征在于包括：接收装置，被配置用于接收过程数据，其中所述过程数据包括在对晶片进行曝光和显影过程之后对图案的关键尺寸测量；第一确定装置，被配置用于确定未校准的过程模型，其中所述未校准的过程模型包括对外形变化对于所述曝光和显影过程的影响进行建模的外形项；以及第二确定装置，通过将所述未校准的过程模型与所述过程数据进行校准来确定所述过程模型。
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