[实用新型]磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 200920108623.5 申请日: 2009-05-26
公开(公告)号: CN201395626Y 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 赵鑫;明星;周伟峰;张文余;郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 曲 鹏
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括固定靶材的共同板和提供磁场的磁靶,所述共同板与磁靶之间设置有调整靶材上方磁场强度的缓冲板。所述缓冲板包括数个以设定间隔依次叠设的调整板,每个调整板与驱动所述调整板移入或移出工作区域的驱动装置连接。本实用新型在磁靶与共同板之间设置可以调整靶材上方磁场强度的缓冲板,且缓冲板由数个依次叠设的调整板组成,通过改变调整板的叠设层数实现磁场强度的调整。与现有技术相比,本实用新型调整磁场强度的效率比较高,大大降低了操作人员的劳动强度。
搜索关键词: 磁控溅射 设备
【主权项】:
1.一种磁控溅射设备,包括固定靶材的共同板和提供磁场的磁靶,其特征在于,所述共同板与磁靶之间设置有调整靶材上方磁场强度的缓冲板。
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