[实用新型]薄膜开关及薄膜开关按键有效
| 申请号： | 200920001342.X | 申请日： | 2009-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN201348959Y | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张贤灿 | 申请（专利权）人： | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H13/702 | 分类号： | H01H13/702;H01H13/704 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种薄膜开关及薄膜开关按键，该薄膜开关包含下薄膜、上薄膜以及至少一凸出结构。下薄膜的顶面设有至少一下导电体。上薄膜设置于下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距，该上薄膜的底面设有至少一上导电体，该上导电体对应于该下导电体的位置，且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距。凸出结构设置于上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度，该凸出结构的位置对应于上导电体。当按压凸出结构时，可压迫上薄膜下沉，使上导电体与下导电体接触而形成电性导通。通过本实用新型，可确实加强薄膜开关作动功能及准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜开关 按键 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜开关，包含下薄膜和上薄膜，该下薄膜的顶面设有至少一下导电体，该上薄膜设置于该下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距，该上薄膜的底面设有至少一上导电体，该上导电体对应于该下导电体的位置，且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距，其特征在于该薄膜开关还包含：至少一凸出结构，该凸出结构设置于该上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度，该凸出结构的位置对应于该上导电体；当按压该凸出结构时，该上薄膜下沉，使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通。
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