[发明专利]激光调Q器件中使用的配对晶体的加工方法

摘要

本发明涉及一种激光调Q器件中使用的配对晶体的加工方法，包括以下步骤：1).切割晶体长条；2).对晶体长条上、下两个表面常规成型；3).在晶体长条上、下两个表面镀金属电极；4).对晶体长条左右两个端面常规成型，并上盘，再对晶体长条的前后两个表面常规成型；5).对晶体长条的前后两个表面常规抛光；6).对晶体长条的前后两个表面进行镀膜操作；7).将晶体长条切割为实际需要尺寸。本发明同时还公开了另外两种相类似的工艺。本发明的三种方法均使所有加工好的晶体的侧面垂直度保持一致，同时加工好的所有晶体的通光方向的角度也一致，避免了现有的加工工艺带来的单片晶体间的差异，提高了晶体配对成功率，同时提高了成品率和效率，降低了成本。

主权项

1.一种激光调Q器件中使用的配对晶体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：1).切割晶体长条，使晶体长条的高度和宽度满足需求尺寸的加工要求，即在需求尺寸的基础上，保证加工需要的余量；在保证晶体内部质量没有瑕疵的前提下，晶体长条左右方向的长度为需求长度尺寸的2~4倍；2).对步骤1)切割完成的晶体长条的需要镀电极的上、下表面常规成型；3).镀电极操作，在晶体长条的需要镀电极的上、下表面镀金属电极，起到导电作用，在加电压下在晶体内部形成均匀稳定电场；4).镀电极之后，对晶体长条的左右端面也就是晶体长条的与通光方向平行的侧面常规成型，并上盘，然后再对晶体长条的前后表面常规成型，使其满足抛光的要求；5).对步骤4)成型完成的晶体长条的前后表面常规抛光；6).对步骤5)抛光完成的晶体长条的前后表面镀膜操作，根据不同的实际使用要求进行不同的镀膜；7).镀膜完成后，将晶体长条再次进行切割，沿通光方向切割，将晶体长条左右面间的长度切割成为实际需要的尺寸，至此晶体的加工完成。