[发明专利]三维泡沫钴氧化物负极的制备方法有效
申请号: | 200910307431.1 | 申请日: | 2009-09-22 |
公开(公告)号: | CN101692491A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 王殿龙;王崇 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 三维泡沫钴氧化物负极的制备方法,它涉及一种二次锂离子电池负极材料的制备方法。本发明解决了现有负极材料循环保持性能差及倍率放电性能差的问题。本发明电极的制备方法如下:将泡沫镍基体或泡沫铜基体用滚压机压至厚度为300μm~600μm,然后进行表面活化处理,再浸入双阳极电沉积体系中电沉积10分钟~50分钟,再将以泡沫镍为基体的泡沫钴或以泡沫铜为基体的泡沫钴在300℃~500℃的温度下,空气气氛中,保温2小时,即得三维泡沫钴氧化物负极。本发明方法所得三维泡沫钴氧化物负极具有优异的倍率放电性能和高的质量比容量,具有很好的循环稳定性,并且质量比容量随着循环次数的增加而增加。 | ||
搜索关键词: | 三维 泡沫 氧化物 负极 制备 方法 | ||
【主权项】:
三维泡沫钴氧化物负极的制备方法,其特征在于泡沫钴氧化物电极的制备方法如下:一、将孔隙率为95%~98%、厚度为1.0mm~1.5mm的泡沫镍基体用滚压机压至厚度为300μm~600μm,然后进行表面活化处理;二、将经过步骤一处理的泡沫镍基体作为双阳极电沉积体系的阴极、石墨电极为双阳极电沉积体系的阳极浸入电解液中,然后在室温、表观电流密度为50mA·cm-2~600mA·cm-2的条件下电沉积10分钟~50分钟;三、将经过步骤二处理的以泡沫镍为基体的泡沫钴在300℃~500℃的温度下,空气气氛中,保温2小时,即得三维泡沫钴氧化物负极;其中步骤二所述的电解液由CoSO4·7H2O、CoCl2·6H2O和硼酸组成,电解液的pH值为2~8,电解液中CoSO4·7H2O的浓度为250g/L~300g/L,CoCl2·6H2O的浓度为35g/L~40g/L,硼酸的浓度为10g/L~40g/L。
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