[发明专利]一种电场吸附提纯液晶的方法无效
| 申请号： | 200910273132.0 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101760204A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张智勇;任占冬;朱玉婵;张开诚 | 申请（专利权）人： | 武汉工业学院 |
| 主分类号： | C09K19/00 | 分类号： | C09K19/00;B01D15/26;B01D17/06 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 430023 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种电场吸附提纯液晶材料的方法，该方法采用一种电场吸附提纯装置，电场吸附提纯装置具有阴极溶剂室、阳极溶剂室和中间提纯室三个区间，阴极溶剂室与中间提纯室之间、阳极溶剂室与中间提纯室之间均设置有离子渗透膜，在阴极溶剂室内插有阴电极，在阳极溶剂室内插有阳电极；应用该装置提纯时，液晶材料溶液置于中间提纯室，阴极溶剂室、阳极溶剂室均放置有吸附剂和溶剂，在两电极间通入直流电或交流电，最后将液晶材料提取出来得到高纯度液晶材料。本发明是将外加电场法和吸附法两种方法结合一起，分别利用两种方法的特点和优势，在外加电场作用下进行集中组合吸附，解决了高电阻率液晶材料提纯难且不能持续及稳定操作问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 吸附 提纯 液晶 方法 | ||
【主权项】：
一种电场吸附提纯液晶的方法，其特征在于：该方法采用一种电场吸附提纯装置，电场吸附提纯装置具有阴极溶剂室、阳极溶剂室和中间提纯室三个区间，三个区间用离子渗透膜隔开，在二溶剂室内分别装有阴、阳电极；应用该装置提纯时，液晶材料溶液置于中间提纯室，阴极室和阳极室放置吸附剂和溶剂，在两电极间通入直流电或交流电，最后将液晶材料提取出来得到高纯度液晶材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工业学院，未经武汉工业学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910273132.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制备层压体的方法
- 下一篇：制造半导体器件的方法及装置
