[发明专利]一种高精度电压基准电路有效

专利信息
申请号: 200910264576.8 申请日: 2009-12-28
公开(公告)号: CN101763138A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 谢凌寒 申请(专利权)人: 无锡芯朋微电子有限公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公布了一种高精度电压基准电路,包括第一、第二三极管、第一至第三MOS管、放大器和第一至第四电阻,还包括第四至第六MOS管和第五至第七电阻。本发明利用了PMOS和NMOS管阈值电压温度系数为负值的原理,设计了两个正温度系数微小电流,通过在不同温度段内往基准电流中分别注入和抽出微小电流,实现的精密的温度补偿,从而得到温度系数低电压基准。本发明降低了基准的电路的温度系数,基准电压值远小于1.25V,可以工作在低压系统中。
搜索关键词: 一种 高精度 电压 基准 电路
【主权项】:
一种高精度电压基准电路,包括第一、第二三极管(Q1、Q2)、第一至第三MOS管(M1~M3)、放大器(amp)和第一至第四电阻(R1~R4),其中第一至第三MOS管(M1~M3)的源极分别接电源(Vdd),第一至第三MOS管(M1~M3)的栅极分别接放大器(amp)的输出端,第一MOS管(M1)的漏极分别接第一电阻(R1)的一端、第二电阻(R2)一端和放大器(amp)的正输入端,第一电阻(R1)的另一端分别与第一三极管(Q1)的集电极和基极、第二三极管(Q2)的集电极和基极、第三电阻(R3)一端以及第四电阻(R4)一端连接接地,第二电阻(R2)另一端接第一三极管(Q1)的发射极,第二MOS管(M2)的漏极分别接放大器(amp)的负输入端、第三电阻(R3)另一端和第二三极管(Q2)发射极,第三MOS管(M3)的漏极接第四电阻(R4)另一端;其特征在于还包括第四至第六MOS管(M4~M6)和第五至第七电阻(R5~R7),其中第四MOS管(M4)的源极接电源(Vdd),第四MOS管(M4)的栅极接放大器(amp)的输出端,第四MOS管(M4)的漏极分别接第五电阻(R5)的一端和第六MOS管(M6)的栅极,第五电阻(R5)的另一端分别接第六电阻(R6)的一端和第六MOS管(M6)的漏极,第六电阻(R6)的另一端分别接第六MOS管(M6)的源极、第七电阻(R7)的一端和第五MOS管(M5)的漏极,第七电阻(R7)的另一端分别接第五MOS管(M5)的栅极和第四电阻(R4)一端,第五MOS管(M5)的源极接第三MOS管(M3)的漏极,其中第四MOS管(M4)的漏极作为电压基准(Vref)的输出端。
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