[发明专利]光学器件、其制造方法和显示装置无效
申请号: | 200910258879.9 | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN103278871A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 大柳英树;渡边仁;水野干久;西山优范 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G02B5/02 | 分类号: | G02B5/02;G02B1/11;G02F1/13 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;王春伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光学器件、其制造方法和显示装置,尤其是一种光学器件,其包括:在其表面上具有三维随机凹凸形状的基材;和在所述基材上形成的硬涂层,其中在基材表面上最大频率的突起高度落在1.5μm以上和10μm以下的范围内;大于所述基材表面上最大频率的突起高度的突起的高度落在从所述最大频率的突起高度的中心值起+3μm的范围内;在所述基材表面上凹凸形状横向上的长度RSm为55μm以上和500μm以下。 | ||
搜索关键词: | 光学 器件 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种光学器件,包括:在其表面上具有三维随机凹凸形状的基材;和在所述基材上形成的硬涂层,其中在所述基材表面上最大频率的突起高度落在1.5μm以上和10μm以下的范围内;比所述基材表面上所述最大频率的突起高度更大的突起具有落在从所述最大频率的突起高度的中心值起+3μm范围内的高度;和在所述基材表面上凹陷和凸起的横向上的长度RSm为55μm以上和500μm以下。
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