[发明专利]多晶硅清洗装置和清洗方法有效
| 申请号： | 200910252918.4 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101748492A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 堺一弘;渥美彻弥;宫田幸和 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吴娟;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的多晶硅清洗装置是在处于充满酸的状态的多个酸洗池2-6中依次浸渍多晶硅S、同时进行清洗的多晶硅清洗装置，如下设定各酸洗池2-6的液温：相邻的后段位置的酸洗池的液温与前段位置的酸洗池的液温相同或更低，且最后段位置的酸洗池6比最前段位置的酸洗池2温度低，在各酸洗池2-6中设置将其液温保持恒定的温度调节手段18。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
多晶硅清洗装置，所述多晶硅清洗装置具有充满酸的多个酸洗池，将多晶硅通过由第1酸洗池至最后的酸洗池依次浸渍来清洗多晶硅，其特征在于，如下设定各酸洗池的液温：相邻的后段酸洗池的液温与前段酸洗池的液温相同或更低，且上述最后的酸洗池比上述第1酸洗池温度低。
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