[发明专利]基于碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片的加工方法无效
| 申请号： | 200910248695.4 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102109387A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 董再励;于海波;王越超;田孝军;曲艳丽;李文荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于碳纳米管-电极结构的温度传感器芯片的加工方法，利用介电泳技术实现碳纳米管在电极上装配，所述介电泳技术为采用质量百分比浓度为0.01％碳纳米管溶液(溶剂为纯度大于99％的丙酮)，碳纳米管溶液首先利用探头式超声机进行分散预处理；在利用介电泳进行碳纳米管装配过程中，采用的介电泳的交变电压参数为：电压幅值为10V，频率为1MHz，波形为方波；并公开了所述碳纳米管-电极结构电极的加工步骤。按本发明方法加工的温度传感器芯在2mm×2mm的区域内集成了8个独立温度传感单元，具有低能耗、高灵敏度的传感器芯片结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 电极 结构 温度传感器 芯片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管‑电极结构的温度传感器芯片的加工方法，其特征在于：利用介电泳技术实现碳纳米管在电极上装配。
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