[发明专利]多层掺稀土离子环芯光纤及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910243346.3 申请日: 2009-12-18
公开(公告)号: CN101710194A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 胡旭东;宁提纲;裴丽;李晶;周倩;张帆;王春灿;路玉春 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种多层掺稀土离子环芯光纤,该光纤中心为硅芯区(1)、硅芯区(1)外,由内到外分布第一掺稀土离子环芯(41)...第N掺稀土离子环芯(4N),2≤N≤10,第N掺稀土离子环芯(4N)的外边分布外包层(3);第一掺稀土离子环芯...第N掺稀土离子环芯(4N)、外包层(3)之间由内到外分布为第一硅环芯(21)...第K硅环芯(2K),0≤K≤N;第一掺稀土离子环芯...第N掺稀土离子环芯的折射率相等,第一硅环芯...第K硅环芯、硅芯区的折射率相等,硅芯区低于N个掺稀土离子环芯的折射率;外包层的折射率低于硅芯区的折射率。该光纤能放大多波段的信号光放大或自组织相干合束,具有高泵浦效率,高抗热能力,结构紧凑等优点。
搜索关键词: 多层 稀土 离子 光纤 及其 制作方法
【主权项】:
多层掺稀土离子环芯光纤,其特征为:该光纤中心为硅芯区(1)、硅芯区(1)外,由内到外分布第一掺稀土离子环芯(41)、第二掺稀土离子环芯(42)...第N掺稀土离子环芯(4N),2≤N≤10,第N掺稀土离子环芯(4N)的外边分布外包层(3);第一掺稀土离子环芯(41)、第二掺稀土离子环芯(42)、...第N掺稀土离子环芯(4N)的折射率相等;硅芯区(1)的折射率低于第一掺稀土离子环芯(41)、第二掺稀土离子环芯(42)、...第N掺稀土离子环芯(4N)的折射率;外包层(3)的折射率低于硅芯区(1)的折射率。
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