[发明专利]单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910235237.7 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101692602A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 任天令;董树荣;杨轶;彭平刚;赵士恒;周常见 | 申请（专利权）人： | 清华大学;浙江大学 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法属于谐振器器件领域。在衬底上制作压电薄膜，声波反射层为布拉格反射结构或气隙结构，声波反射层形成在衬底里或衬底与压电薄膜之间，两个单独的电极组成的单层电极经过刻蚀形成在压电薄膜上。所述单层电极薄膜体声波谐振器结构可以和现有超大规模集成电路工艺兼容，易于芯片级的集成和大规模生产；相比较现有的声波谐振器结构，只使用单层电极，结构简单，使得制备工艺简单，成本降低，并且能够保持甚至加强现有声波谐振器结构的众多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 电极 薄膜 声波 谐振器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
单层电极薄膜体声波谐振器结构，其特征在于，在衬底上制作压电薄膜，声波反射层形成在衬底里或衬底与压电薄膜之间；两个单独的电极组成的单层电极经过刻蚀形成在压电薄膜上。
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