[发明专利]运算放大器无效
| 申请号： | 200910216921.0 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101854150A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 李元孝 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;李占平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种能够抑制功率消耗和噪声产生的运算放大器。运算放大器包括含有差分放大电路的偏移修正器和使用锁存电路存储偏移电压的偏移存储器。差分放大电路包括连接至输入端子的第一和第二NMOS晶体管、分别连接至第一和第二NMOS晶体管的漏极的第一和第二PMOS晶体管、连接至第一和第二NMOS晶体管的源极的第三NMOS晶体管、连接至第二PMOS晶体管的源极的第三PMOS晶体管、连接至第三PMOS晶体管的第四NMOS晶体管以形成施加于偏移存储器的输出，左修正块和右修正块各并行连接至第一和第二NMOS晶体管中相关联的一个NMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 运算放大器 | ||
【主权项】：
一种运算放大器，包括：偏移修正器，包括差分放大电路；以及偏移存储器，使用锁存电路存储偏移电压，其中，所述差分放大电路包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，连接至输入端子，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，分别连接至所述第一NMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极，第三NMOS晶体管，连接至所述第一NMOS晶体管的源极和所述第二NMOS晶体管的源极，第三PMOS晶体管，连接至所述第二PMOS晶体管的源极，第四NMOS晶体管，连接至所述第三PMOS晶体管，以形成施加于所述偏移存储器的输出，以及左修正块和右修正块，各并行连接至所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管中相关联的一个。
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