[发明专利]发射器无效
| 申请号： | 200910216920.6 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101848005A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张大中;林旭熙;尹永彬 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/04 | 分类号： | H04B1/04;H03F3/16 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 宋子良;吴淑平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于在输出电压的相位变化时提供大电流的发射器。该发射器包括第一放大单元，包括第一放大器和第二放大器，第一放大器包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，具有连接第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的公共源极，第二放大器包含第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，具有连接第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管的公共漏极，并且，第二放大器与第一放大器并联连接；第二放大单元，其包括类似于第一放大单元的结构；以及差分输出节点，其包括连接至第一放大单元的输出级的正节点以及连接至第二放大单元的输出级的负节点，第一放大器的公共源极和第二放大器的公共漏极共同连接至正节点，第三放大器的公共源极和第四放大器的公共漏极共同连接至负节点。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 | ||
【主权项】：
一种发射器，包括：第一放大单元，包括第一放大器和第二放大器，所述第一放大器包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，具有连接所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管的公共源极，所述第二放大器包含第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，具有连接所述第二PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的公共漏极，并且，所述第二放大器与所述第一放大器并联连接；第二放大单元，包括第三放大器和第四放大器，所述第三放大器包含第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管，具有连接所述第三NMOS晶体管和所述第三PMOS晶体管的公共源极，所述第四放大器包含第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管，具有连接所述第四PMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管的公共漏极，并且，所述第三放大器与所述第四放大器并联连接；以及差分输出节点，包括连接至所述第一放大单元的输出级的正节点以及连接至所述第二放大单元的输出级的负节点，所述第一放大器的公共源极和所述第二放大器的公共漏极共同连接至所述正节点，所述第三放大器的公共源极和所述第四放大器的公共漏极共同连接至所述负节点。
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